辐射退火检测

参考周期：常规试验7-15工作日，加急试验5个工作日。

注意：因业务调整,暂不接受个人委托测试,望谅解(高校、研究所等性质的个人除外)。

检测项目

1. 辐射剂量均匀性：测量能量密度偏差≤±5%，空间分辨率达0.1mm²

2. 晶格畸变恢复度：XRD测定晶格常数误差≤0.002Å

3. 表面残余应力：采用X射线衍射法（XRD）测试应力范围±2000MPa

4. 热稳定性验证：高温保持试验（300-1200℃）时长2-48小时

5. 电导率变化率：四探针法测量精度±0.5μΩ·cm

检测范围

1. 金属合金：钛合金TC4/TA15、镍基高温合金GH4169/Inconel718

2. 半导体材料：硅晶圆（150-300mm）、GaN衬底（2-6英寸）

3. 精密陶瓷：氧化铝（Al₂O₃≥99%）、氮化硅（Si₃N₄）

4. 聚合物基复合材料：碳纤维增强环氧树脂（CFRP层压板）

5. 光学玻璃：BK7/SF6玻璃基板（面形精度λ/10）

检测方法

1. ASTM E1256-17 热辐射源校准规范

2. ISO 18558:2015 非金属材料辐射处理评价方法

3. GB/T 13301-2021 金属材料残余应力测定方法

4. ASTM F1392-00(2021) 半导体晶片退火工艺标准

5. GB/T 4334-2020 金属材料高温氧化试验方法

检测设备

1. Thermo Scientific ARL 9900 X射线衍射系统：晶格参数分析（精度0.0001Å）

2. Bruker D8 ADVANCE残余应力仪：Ψ角扫描范围±45°

3. Keysight B2902A精密源表：电导率测试分辨率1nA

4. FLIR A655sc红外热像仪：温度分辨率0.03℃@30Hz

5. Instron 8862电子万能试验机：载荷精度±0.5%

6. Malvern Panalytical Empyrean XRD：二维应力测绘功能

7. Netzsch STA 449 F3同步热分析仪：最高温度1600℃

8. Olympus DSX1000数码显微镜：景深合成分辨率20nm

9. Agilent 4294A阻抗分析仪：频率范围40Hz-110MHz

10. ZEISS Sigma 500场发射电镜：分辨率0.8nm@15kV

北京中科光析科学技术研究所【简称：中析研究所】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。

中析仪器 资质