化合物半导体检测

参考周期：常规试验7-15工作日，加急试验5个工作日。

注意：因业务调整,暂不接受个人委托测试,望谅解(高校、研究所等性质的个人除外)。

检测项目

1.载流子浓度与迁移率：采用霍尔效应测试系统测量（1E15~1E19cm⁻），误差≤5%

2.缺陷密度分析：通过深能级瞬态谱（DLTS）检测（灵敏度≥1E10cm⁻）

3.晶体取向与晶格常数：X射线衍射（XRD）测定（角度分辨率≤0.001）

4.表面粗糙度：原子力显微镜（AFM）扫描（垂直分辨率≤0.1nm）

5.元素成分比：能量色散X射线谱（EDS）定量分析（精度0.5at%）

检测范围

1.III-V族化合物：GaAs衬底/外延片、InP功率器件

2.III-Nitride材料：GaNHEMT结构、AlGaN紫外探测器

3.宽禁带半导体：4H-SiCMOSFET、6H-SiC二极管

4.II-VI族器件：ZnO压敏电阻、CdTe光伏组件

5.异质结结构：AlGaAs/GaAs量子阱、InGaN/GaN超晶格

检测方法

1.ASTMF76-08(2016)：霍尔效应材料参数标准测试方法

2.ISO14707:2015：辉光放电光谱法成分深度剖析

3.GB/T15519-2022：半导体晶体缺陷X射线形貌术检测规范

4.JISH7804:2005：场发射扫描电镜表面形貌观测法

5.IEC60749-28:2017：半导体器件机械冲击试验方法

检测设备

1.Keithley4200A-SCS参数分析仪：支持DC-IV/CV/脉冲I-V多模式测量

2.BrukerD8ADVANCEXRD系统：配备LYNXEYEXE-T探测器（2θ范围3~168）

3.ThermoFisherTalosF200X透射电镜：STEM模式分辨率0.16nm

4.KeysightB1500A半导体分析仪：10fA~1A宽量程电流测量能力

5.OxfordInstrumentsPlasmaPro100RIE：等离子刻蚀速率控制精度2%

6.ZygoNewView9000白光干涉仪：垂直分辨率0.1nm@20物镜

7.Agilent5500AFM系统：接触/轻敲/相位成像多模式切换

8.HoribaLabRAMHREvolution拉曼光谱仪：空间分辨率<1μm@532nm激光

9.FEIHeliosG4UX聚焦离子束：5nm定位精度的截面制备系统

10.BrukerDimensionIcon原子力显微镜：PeakForceTapping专利技术

北京中科光析科学技术研究所【简称：中析研究所】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。

中析仪器 资质