场致发射检测

参考周期：常规试验7-15工作日，加急试验5个工作日。

注意：因业务调整,暂不接受个人委托测试,望谅解(高校、研究所等性质的个人除外)。

检测项目

1. 阈值电场强度测试：测量电子开始稳定发射时的临界电场值（范围：1-50 V/μm）

2. 发射电流密度分析：量化单位面积电子流强度（典型值：0.1-100 mA/cm²）

3. 功函数测定：计算材料表面势垒高度（精度±0.05 eV）

4. 场增强因子β值计算：表征微观结构对电场的放大效应（基准值50-5000）

5. 稳定性测试：持续监测发射电流波动率（时长≥100小时）

6. 发射均匀性评估：通过微区扫描确定电子束分布一致性（分辨率≤1μm）

7. 温度依赖性研究：考察-196℃至800℃温区的场发射特性变化

检测范围

1. 碳纳米管薄膜及石墨烯基复合材料

2. 金属微尖阵列冷阴极组件

3. 金刚石/类金刚石涂层电极

4. ZnO/SiC半导体纳米线结构

5. 场发射显示器(FED)面板单元

6. MEMS真空电子器件封装体

7. 扫描探针显微镜专用探针

检测方法

ASTM F1802-2018《Standard Test Method for Field Emission》规范平行板电极法

ISO 21217:2019《Nanotechnologies-Field emission characterization》规定纳米材料测试流程

GB/T 30211-2013《真空电子器件场致发射测试方法》定义阳极电压调节规范

GB/T 40267-2021《信息显示器件用场发射阴极评估通则》规定显示器件测试条件

IEC 61340-5-3《静电学-第5-3部分》涉及表面电荷消散速率测量

SEMI F109-0317《半导体材料场发射特性测试规程》明确晶圆级测试参数

检测设备

1. KEITHLEY 4200A-SCS参数分析仪：支持10fA~1A宽量程电流测量

2. JEOL JSM-7900F场发射扫描电镜：配备STEM探测器实现原位形貌观测

3. Agilent B1505A功率器件分析仪：最大输出电压10kV的I-V特性测试系统

4. CIP-FE1000场发射测试系统：集成真空腔体与三维样品台（极限真空5×10⁻⁸ Pa）

5. PHI 5000 VersaProbe III X射线光电子能谱仪：功函数测定精度±0.02 eV

6. Thermo Fisher Themis Z球差校正透射电镜：原子级尖端曲率半径分析

7. HORIBA LabRAM HR Evolution拉曼光谱仪：材料应力分布与缺陷关联分析

8. ULVAC PHI SMART-200表面分析系统：结合UPS技术测定能带结构

9. Advantest R6243高压直流电源：输出稳定性±0.05% @20kV

10. Oxford Instruments OmniProbe高真空探针台：支持四探针法电阻率同步测量

北京中科光析科学技术研究所【简称：中析研究所】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。

中析仪器 资质