晶比检测

参考周期：常规试验7-15工作日，加急试验5个工作日。

注意：因业务调整,暂不接受个人委托测试,望谅解(高校、研究所等性质的个人除外)。

检测项目

1.晶体结构分析：测定晶格常数（精度0.001）、空间群对称性及原子占位率

2.取向分布测定：统计晶粒欧拉角分布（角度分辨率≤0.1），计算织构强度系数

3.缺陷密度检测：量化位错密度（量程10⁴-10/cm）、层错能及孪晶界面比例

4.晶粒尺寸统计：测量等效直径（范围0.1-500μm），计算晶界曲率半径

5.相含量测定：定量多相体系中各相体积分数（检出限0.5vol%）

6.残余应力分析：测定宏观应力（精度10MPa）与微观应变张量

检测范围

1.金属材料：铝合金（AA2024/7075）、钛合金（Ti-6Al-4V）、高温合金（Inconel718）

2.半导体材料：单晶硅（掺杂浓度10⁴-10⁰/cm）、GaN外延层（厚度50-500nm）

3.陶瓷材料：氧化锆（YSZ）、碳化硅（β-SiC）及压电陶瓷（PZT-5H）

4.高分子材料：半结晶聚合物（PP/PE/PET），结晶度测量范围30-90%

5.复合材料：碳纤维增强环氧树脂（CFRP），界面相厚度测量精度5nm

检测方法

1.X射线衍射法：ASTME975（宏观织构）、GB/T8362（残余应力测定）

2.电子背散射衍射：ISO24173（取向成像）、GB/T38885（晶界特性表征）

3.透射电子显微术：ISO25498（位错分析）、GB/T36065（纳米晶测量）

4.中子衍射法：ISO21484（大体积样品应力测绘），ASTME2861

5.同步辐射技术：ISO/TS21432（高分辨三维成像），空间分辨率50nm

检测设备

1.X射线衍射仪：PANalyticalEmpyrean，配备高温附件（-196~1600℃）

2.场发射扫描电镜：ThermoFisherApreo2，EBSD分辨率≤3nm

3.透射电子显微镜：JEOLJEM-ARM300F，球差校正STEM模式

4.X射线应力分析仪：ProtoLXRD，ψ角扫描范围45

5.同步辐射线站：上海光源BL14B1，光子能量5-20keV可调

6.EBSD探测器：OxfordInstrumentsSymmetryS2，采集速率3000pps

7.高温环境箱：AntonPaarDHS1100，真空度10⁻⁶mbar

8.纳米压痕仪：KeysightG200，载荷分辨率50nN

9.聚焦离子束系统：TESCANGAIA3，定位精度10nm

10.X射线三维显微镜：ZEISSXradia620Versa，体素尺寸0.7μm

北京中科光析科学技术研究所【简称：中析研究所】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。

中析仪器 资质