辐照损伤检测

参考周期：常规试验7-15工作日，加急试验5个工作日。

注意：因业务调整,暂不接受个人委托测试,望谅解(高校、研究所等性质的个人除外)。

检测项目

1.位移损伤剂量（DDD）测定：测量单位体积原子位移数（dpa），精度0.05dpa

2.电性能退化分析：载流子浓度变化量（Δn≤110⁶cm⁻）、迁移率衰减率（μ/μ₀≥80%）

3.微观结构表征：位错密度（≥110⁴m⁻）、空洞尺寸分布（0.5-50nm）

4.机械性能测试：屈服强度变化率（Δσ/σ₀≤15%）、断裂韧性KIC值（≥30MPam/）

5.热导率衰减监测：导热系数下降幅度（Δλ/λ₀≤25%@300K）

检测范围

1.半导体材料：硅基器件、GaN功率器件、SiC衬底

2.金属合金：锆合金包壳管、奥氏体不锈钢结构件

3.高分子材料：PTFE密封件、EPDM绝缘层

4.光学元件：石英玻璃视窗、ZnSe红外透镜

5.生物医学材料：聚乙烯人工关节、钛合金植入体

检测方法

ASTME521-16：带电粒子辐照试验规程（1-50MeV质子/重离子）

ISO12749-4:2020：核能应用材料中子辐照效应评估

GB/T26168.1-2010：电气绝缘材料γ射线辐照试验方法

ASTMF1467-18：电子器件总剂量辐射效应测试

GB/T36018-2018：空间用半导体器件位移损伤剂量测试规范

检测设备

1.Tandetron4117A串列加速器：提供1-10MeV质子束流，束流强度0.1-100nA

2.ThermoScientificApreo2SEM：分辨率0.7nm@15kV，配备EDS/EBSD联用系统

3.JEOLJEM-ARM300FTEM：点分辨率0.08nm，支持原位辐照观测

4.NetzschLFA467HTHyperFlash：热扩散系数测量范围0.1-2000mm/s

5.KeysightB1500A半导体分析仪：IV/CV测试精度0.3%，最大电压200V

6.Instron8862万能试验机：载荷范围100kN，应变测量精度0.5%

7.BrukerD8ADVANCEXRD：Cu靶Kα辐射（λ=0.154nm），角度重复性0.0001

8.OxfordInstrumentsMicrostatN2低温恒温器：温度范围80-500K，控温精度0.1K

9.ORTECHPGeγ谱仪：能量分辨率≤1.8keV@1.33MeV

10.FLIRX8500SC红外热像仪：热灵敏度15mK@30℃，帧频180Hz

北京中科光析科学技术研究所【简称：中析研究所】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。

中析仪器 资质