界面陷阱电荷检测

参考周期：常规试验7-15工作日，加急试验5个工作日。

注意：因业务调整,暂不接受个人委托测试,望谅解(高校、研究所等性质的个人除外)。

检测项目

1.界面陷阱电荷密度（Dit）：测量范围1E9-1E12cm⁻eV⁻，精度5%

2.能级分布特性：扫描范围EC-0.3eV至EV+0.3eV（导带底至价带顶）

3.动态响应时间：测试频率10mHz-1MHz，时间分辨率100ns

4.温度依赖性：温控范围77-500K，步进精度0.5K

5.应力诱导变化：偏置电压20V，应力时间0-1000s可调

检测范围

1.MOS结构器件（SiO₂/Si、SiN/Si界面）

2.III-V族化合物半导体异质结（GaN/AlGaN、InGaAs/InP）

3.高k介质材料（HfO₂/Si、Al₂O₃/GaAs）

4.二维材料异质结构（MoS₂/SiO₂、石墨烯/h-BN）

5.铁电存储器界面（PZT/SRO、HZO/Si）

检测方法

ASTMF1248-2021：基于准静态C-V法的界面态密度测量标准

ISO16700:2022：扫描探针显微镜表征界面电荷分布方法

GB/T29849-2018：深能级瞬态谱（DLTS）测试规范

IEC60749-28:2020：高温栅偏压（HTGB）应力测试标准

GB/T35031-2018：交流导纳谱法测定界面态参数方法

检测设备

KeysightB1500A半导体分析仪：支持10μV-100V电压输出与fA级电流测量

Agilent4156C精密参数分析仪：实现C-V/I-V多频点扫描（1kHz-1MHz）

CascadeSummit12000探针台：配备液氮温控模块与电磁屏蔽腔体

Keithley4200A-SCS测试系统：集成脉冲I-V与瞬态响应测量功能

LakeShoreCRX-4K低温探针台：工作温度4.2-475K，磁场强度1T

OxfordInstrumentsDLTS系统：深能级瞬态谱分辨率达1E10cm⁻eV⁻

BrukerDimensionIcon原子力显微镜：支持KPFM模式表面电势成像

AdvantestE4981A阻抗分析仪：频率范围20Hz-30MHz，基本精度0.05%

ThermoFisherHeliosG4UXFIB-SEM：纳米尺度截面制备与EDS成分分析

SUSSMicroTecPA300：全自动晶圆级可靠性测试平台

北京中科光析科学技术研究所【简称：中析研究所】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。

中析仪器 资质