绝缘栅场效应电力晶体管检测

参考周期：常规试验7-15工作日，加急试验5个工作日。

注意：因业务调整,暂不接受个人委托测试,望谅解(高校、研究所等性质的个人除外)。

检测项目

1.阈值电压（V_th）：测量栅极开启电压值范围（典型值2-6V），精度要求0.1V

2.导通电阻（R_DS(on)）：测试漏源极间导通阻抗（0.5mΩ-50mΩ），电流加载范围1A-1000A

3.击穿电压（V_BR）：验证漏源极间耐压能力（600V-6500V），升压速率50V/s5%

4.开关时间参数：包含开通时间t_d(on)（10ns-500ns）与关断时间t_d(off)（50ns-1μs）

5.热阻（R_θJC）：测量结壳间热阻值（0.1℃/W-1.5℃/W），温度控制精度0.5℃

检测范围

1.硅基IGBT模块：电压等级1200V-6500V的功率封装模块

2.碳化硅MOSFET器件：第三代半导体材料的单管及模组产品

3.氮化镓HEMT器件：高频应用的平面型功率晶体管

4.智能功率模块（IPM）：集成驱动电路的多芯片组件

5.分立式功率晶体管：TO-247/TO-220等封装形式的单管器件

检测方法

1.静态特性测试依据IEC60747-9:2019半导体分立器件标准

2.动态特性测试采用GB/T29332-2012《绝缘栅双极晶体管测试方法》

3.热阻测量执行ASTMF1245-2016热瞬态测试规范

4.高压击穿试验参照IEC60749-26:2013介质耐压测试规程

5.环境可靠性试验依据GB/T2423系列标准进行温湿度循环测试

检测设备

1.KeysightB1505A功率器件分析仪：支持2000A/10kV高压大电流静态参数测试

2.TektronixDPO7354C示波器：4GHz带宽用于动态开关波形分析

3.Chroma19032功率循环测试系统：实现10000次以上功率循环寿命试验

4.ThermoScientificT3Ster瞬态热阻测试仪：μs级时间分辨率热特性分析

5.HiokiST5520表面电阻测试仪：接触电阻测量精度达0.01μΩ

6.ESPECPL-3K环境试验箱：温度范围-70℃~+180℃，湿度控制10%-98%RH

7.Fluke1587FC绝缘电阻测试仪：5000VDC耐压测试与绝缘电阻测量

8.AgilentE4980ALCR表：20Hz-2MHz频率范围阻抗特性分析

北京中科光析科学技术研究所【简称：中析研究所】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。

中析仪器 资质