二硫化镨检测摘要:二硫化镨检测是评估其理化性能及材料适用性的关键环节,主要针对纯度、晶型结构、硫含量等核心指标。检测需遵循ASTM、ISO、GB/T等标准,结合X射线衍射、热重分析等技术,确保材料在半导体、光学镀膜等领域的应用可靠性。本文系统阐述检测项目、方法及设备配置,为行业提供技术参考。
参考周期:常规试验7-15工作日,加急试验5个工作日。
注意:因业务调整,暂不接受个人委托测试,望谅解(高校、研究所等性质的个人除外)。
纯度检测:镨(Pr)含量≥99.5%,硫(S)含量33.0%-34.5%
晶型结构分析:六方相(2H型)占比≥95%,层间距(d002)0.62-0.65nm
粒度分布:D50值1-5μm,粒径分散度(PDI)≤0.3
热稳定性检测:分解温度≥450℃,失重率≤2%(N2氛围,25-600℃)
表面硫化物残留:游离硫含量≤200ppm,硫酸盐残留≤50ppm
半导体用二硫化镨靶材
光学镀膜涂层材料
催化剂前驱体粉末
固态电解质中间体
高温润滑剂复合材料
X射线衍射(XRD):ASTM E975、GB/T 23413-2009(晶型定量分析)
电感耦合等离子体发射光谱(ICP-OES):GB/T 23942-2009(元素含量测定)
同步热分析(TGA-DSC):ISO 11358-2021、GB/T 27761-2011(热稳定性评价)
激光粒度分析:GB/T 19077-2016(粒度分布测试)
离子色谱法(IC):GB/T 4010-2016(硫化物残留检测)
X射线衍射仪:Rigaku SmartLab,配备高温附件,精度±0.001°(2θ)
电感耦合等离子体质谱仪:Agilent 7900 ICP-MS,检出限≤0.01ppm
同步热分析仪:NETZSCH STA 449 F5,温度范围RT-1600℃,精度±0.1μg
激光粒度分析仪:Malvern Mastersizer 3000,测量范围0.01-3500μm
全自动元素分析仪:Elementar vario EL cube,硫检测精度±0.3wt%
报告:可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。
检测周期:7~15工作日,可加急。
资质:旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。
标准测试:严格按国标/行标/企标/国际标准检测。
非标测试:支持定制化试验方案。
售后:报告终身可查,工程师1v1服务。
中析二硫化镨检测 - 由于篇幅有限,仅展示部分项目,如需咨询详细检测项目,请咨询在线工程师