薄栅氧化层检测

参考周期：常规试验7-15工作日，加急试验5个工作日。

注意：因业务调整,暂不接受个人委托测试,望谅解(高校、研究所等性质的个人除外)。

检测项目

1.氧化层厚度测量：采用椭偏仪进行非破坏性检测，测量范围0.5-10nm，精度0.05nm

2.均匀性分析：通过原子力显微镜（AFM）扫描表面粗糙度（Ra≤0.3nm）及厚度波动（≤2%）

3.界面缺陷密度检测：利用深能级瞬态谱（DLTS）测量界面态密度（Dit≤110⁰cm⁻eV⁻）

4.击穿电压测试：采用高压源表进行TDDB测试（电压范围0-200V），记录击穿电场强度（≥10MV/cm）

5.漏电流特性评估：在125℃高温下测量漏电流密度（≤110⁻⁷A/cm@3V）

检测范围

1.MOSFET器件栅极氧化层（SiO₂/SiON）

2.IGBT功率器件钝化层（Al₂O₃/Si₃N₄）

3.CMOS集成电路中的高k介质层（HfO₂/Al₂O₃叠层）

4.DRAM存储单元电容介质层（ZrO₂/TiO₂纳米叠层）

5.GaN基HEMT器件的Al₂O₃栅介质层

检测方法

1.ASTMF1390-18：基于椭偏法的介质膜厚度测量标准

2.ISO14647:2018：半导体器件中氧化层击穿电压测试规范

3.GB/T16525-2017：半导体材料表面界面态密度测试方法

4.JESD35-A：TDDB可靠性评估的行业标准方法

5.GB/T30508-2014：纳米级介质膜电学特性测试规程

检测设备

1.J.A.WoollamM-2000UI型全自动椭偏仪：支持190-1700nm光谱范围的多角度测量

2.BrukerDimensionIcon原子力显微镜：配备ScanAsyst模式实现亚埃级表面形貌分析

3.KeysightB1505A功率器件分析仪：支持2000V/1500A脉冲测试的TDDB评估系统

4.Agilent4294A精密阻抗分析仪：4Hz-110MHz频率范围的C-V特性测试设备

5.Keithley4200A-SCS参数分析仪：集成SMU模块的纳米级漏电流测量系统

6.ThermoFisherScientificNexsaXPS系统：用于界面化学态分析的X射线光电子能谱仪

7.OxfordInstrumentsPlasmaPro100深能级瞬态谱仪：低温（77K）条件下的界面态表征设备

8.HitachiSU9000场发射扫描电镜：配备EDS的截面形貌观测系统（分辨率0.6nm）

9.KLATencorP-17台阶仪：接触式膜厚测量装置（重复精度0.1nm）

10.SentechSE800光谱椭偏仪：专用介质膜分析系统（支持多层膜建模解析

北京中科光析科学技术研究所【简称：中析研究所】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。

中析仪器 资质