集电结检测

参考周期：常规试验7-15工作日，加急试验5个工作日。

注意：因业务调整,暂不接受个人委托测试,望谅解(高校、研究所等性质的个人除外)。

检测项目

反向击穿电压（VBR）：测量范围0-3000V0.5%，击穿电流阈值设定1μA-10mA

漏电流（IR）：测试条件25℃/125℃，灵敏度0.1nA-10mA

结电容（Cj）：频率1MHz2%，偏压0-30V50mV

热阻系数（Rth）：温控精度0.5℃，功率加载范围0.1-100W

表面粗糙度（Ra）：测量分辨率0.01μm，扫描面积55mm

检测范围

硅基半导体材料：包括单晶硅、多晶硅及外延片

化合物半导体：砷化镓（GaAs）、碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）晶圆

功率晶体管：IGBT模块、MOSFET器件

光电器件：LED芯片、激光二极管

传感器元件：压力传感器、温度传感器核心部件

检测方法

ASTMF42-21《半导体材料电阻率测试规程》

IEC60749-27:2020《半导体器件机械与气候试验方法》

GB/T4586-2020《半导体器件分立器件规范》

ISO14647:2015《微电子器件金属镀层厚度测量》

GB/T6571-2021《半导体器件分立器件和集成电路第7部分：双极晶体管》

检测设备

KeysightB1505A功率器件分析仪：支持3000V/1500A高压大电流测试

TektronixPA3000功率分析仪：带宽10MHz0.05%精度

Keithley4200A-SCS参数分析仪：最小电流分辨率0.1fA

ThermoScientificHXI系列X射线衍射仪：角度重复性0.0001

BrukerDektakXT表面轮廓仪：垂直分辨率0.01nm

AgilentE4980ALCR表：基本精度0.05%@1MHz

Fluke6105B热像仪：热灵敏度≤40mK@30℃

OlympusLEXTOLS5000激光显微镜：XY分辨率120nm

MettlerToledoXP26微量天平：重复性0.0025mg

EspecPL-3KPH环境试验箱：温变速率

北京中科光析科学技术研究所【简称：中析研究所】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。

中析仪器 资质