暗视场法检测摘要:暗视场法检测是一种基于光学显微技术的高精度表面缺陷分析方法,通过抑制直射光干扰,增强样品表面微观结构的散射光信号,适用于亚微米级缺陷检测。核心检测参数包括表面粗糙度、划痕深度、颗粒物分布及微裂纹特征。该方法在半导体、精密光学器件及金属材料领域具有重要应用价值,需严格遵循ASTM、ISO及GB/T标准体系。
参考周期:常规试验7-15工作日,加急试验5个工作日。
注意:因业务调整,暂不接受个人委托测试,望谅解(高校、研究所等性质的个人除外)。
表面微裂纹检测:裂纹宽度0.1-5μm,长度≥10μm,检测分辨率0.05μm
颗粒污染物分析:粒径范围0.05-2μm,密度检测限≤5个/cm²
晶界腐蚀评估:腐蚀深度10-200nm,横向扩散范围±0.5μm
镀层缺陷检测:针孔密度≤3个/mm²,厚度偏差±5%
微观划痕测量:宽度0.2-10μm,深度20-500nm,长度方向一致性误差≤5%
金属材料:钛合金表面氧化层缺陷、不锈钢晶间腐蚀
半导体器件:硅晶圆表面金属污染、光刻胶残留物
光学元件:透镜表面划痕、AR镀层针孔
高分子材料:医用导管表面微裂纹、离型膜颗粒污染
复合材料:碳纤维增强环氧树脂界面缺陷检测
ASTM E112-13:晶粒尺寸测定标准中暗场显微术应用规范
ISO 14606:2015:表面化学分析-扫描探针显微镜暗场检测程序
GB/T 26645.1-2021:颗粒物测定-光学显微法第1部分:暗视场法
ASTM F3128-17:半导体晶圆表面金属污染物检测指南
ISO 21222:2020:表面缺陷表征-暗场光学显微术通用要求
Olympus DSX1000数码显微镜:配备暗视场物镜组(NA 0.8-1.4),可实现50-1000X连续变倍观察
Zeiss Axio Imager M2m:配置DIC微分干涉组件,支持明/暗场快速切换,最大分辨率0.12μm
Keyence VHX-7000:集成多角度环形照明系统,三维表面重构精度±0.1μm
Leica DM8000 M:专用暗场显微模块,支持荧光联用检测,光谱范围365-750nm
Shimadzu SALD-7500nano:激光散射式粒度分析仪,暗场模式下可检测10nm-3μm颗粒
报告:可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。
检测周期:7~15工作日,可加急。
资质:旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。
标准测试:严格按国标/行标/企标/国际标准检测。
非标测试:支持定制化试验方案。
售后:报告终身可查,工程师1v1服务。
中析暗视场法检测 - 由于篇幅有限,仅展示部分项目,如需咨询详细检测项目,请咨询在线工程师