硼扩散源测试
硼扩散源测试摘要：硼扩散源测试是半导体工艺质量控制的关键环节，主要针对掺杂均匀性、浓度分布及缺陷控制等核心参数进行精准分析。本文依据ASTM、ISO及GB/T标准体系，系统阐述硼扩散源的检测项目、适用材料范围及方法学要点，涵盖二次离子质谱（SIMS）、四探针测试仪等先进设备的应用规范。
参考周期：常规试验7-15工作日，加急试验5个工作日。
注意：因业务调整,暂不接受个人委托测试,望谅解(高校、研究所等性质的个人除外)。
检测项目
1.表面硼浓度：测量范围1E15~1E21atoms/cm，精度3%
2.结深（JunctionDepth）：0.1~5μm量程，分辨率2nm
3.横向扩散系数：三维分布测量误差≤5%
4.薄层电阻（Rs）：0.1~1000Ω/□量程
5.缺陷密度：位错密度≤500/cm，堆垛层错≤10/cm
检测范围
1.单晶硅片（CZ/FZ法）
2.多晶硅光伏基板
3.砷化镓（GaAs）外延片
4.碳化硅（SiC）功率器件
5.MEMS器件掺杂层
检测方法
1.ASTMF723：四探针法薄层电阻测量
2.ISO14707：SIMS深度剖面分析
3.GB/T14844：半导体材料载流子浓度测定
4.ASTME112：金相法结深测量
5.GB/T26068：硅片缺陷X射线检测
检测设备
1.ThermoFisherScientificSIMS4550：二次离子质谱仪（深度分辨率0.5nm）
2.KLATencorRS-100：四探针测试系统（最小测量间距50μm）
3.HitachiSU9000：场发射扫描电镜（分辨率0.4nm）
4.BrukerD8Discover：X射线衍射仪（角度精度0.0001）
5.Keithley4200A-SCS：半导体参数分析系统（电流分辨率0.1fA）
6.OlympusBX53M：金相显微镜（最大倍率1500X）
7.NanometricsNanoDiffract：椭偏仪（膜厚测量精度0.1nm）
8.Agilent5500：原子力显微镜（Z轴分辨率
北京中科光析科学技术研究所【简称：中析研究所】
报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。
检测周期：7~15工作日，可加急。
资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。
标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。
非标测试：支持定制化试验方案。
售后：报告终身可查，工程师1v1服务。
中析仪器 资质
中析硼扩散源测试 - 由于篇幅有限，仅展示部分项目，如需咨询详细检测项目，请咨询在线工程师
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