片状晶粒测试
片状晶粒测试摘要：片状晶粒测试是材料微观结构分析的关键环节，主要针对晶粒形态、尺寸分布及界面特性进行定量表征。核心检测项目包括晶粒长宽比、厚度均匀性、取向分布等参数，适用于金属合金、陶瓷、半导体等材料的质量控制与工艺优化。测试过程严格遵循ASTM、ISO及GB/T标准，结合高分辨率显微成像与衍射技术，确保数据精确性和重复性。
参考周期：常规试验7-15工作日，加急试验5个工作日。
注意：因业务调整,暂不接受个人委托测试,望谅解(高校、研究所等性质的个人除外)。
检测项目
晶粒尺寸分布：测量片状晶粒长轴（5-200μm）与短轴（2-50μm）的统计分布
纵横比测定：计算长轴与短轴比值（1.5:1至50:1范围）
厚度均匀性：检测晶粒截面厚度波动（±0.2μm精度）
取向分布分析：测定晶粒晶体学取向（欧拉角测量精度±0.5°）
界面结合强度：评估层间结合力（测试载荷范围0.1-50N）
检测范围
金属合金：钛合金、铝合金层状复合材料
陶瓷材料：氮化硅基片状结构陶瓷
半导体材料：二维过渡金属硫化物（如MoS2、WS2）
高分子复合材料：石墨烯/聚合物层状复合膜
粉末冶金制品：片状铜粉烧结材料
检测方法
ASTM E112-13：晶粒度测定标准试验方法
ISO 13383-1:2012：显微结构定量分析标准
GB/T 6394-2017：金属平均晶粒度测定方法
ASTM E1382-97(2015)：取向成像显微术标准
GB/T 4339-2008：金属材料热膨胀特性测试
检测设备
场发射扫描电镜：蔡司Sigma 500，分辨率0.8nm@15kV
透射电子显微镜：FEI Talos F200X，点分辨率0.16nm
X射线衍射仪：布鲁克D8 ADVANCE，角度精度±0.0001°
电子背散射衍射系统：牛津仪器Symmetry S2，采集速度3000点/秒
纳米压痕仪：安东帕TTX-NHT3，载荷分辨率10nN
北京中科光析科学技术研究所【简称：中析研究所】
报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。
检测周期：7~15工作日，可加急。
资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。
标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。
非标测试：支持定制化试验方案。
售后：报告终身可查，工程师1v1服务。
中析仪器 资质
中析片状晶粒测试 - 由于篇幅有限，仅展示部分项目，如需咨询详细检测项目，请咨询在线工程师
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