偏析常数测试

参考周期：常规试验7-15工作日，加急试验5个工作日。

注意：因业务调整,暂不接受个人委托测试,望谅解(高校、研究所等性质的个人除外)。

检测项目

元素分布偏差系数（EDD）：测量主元素质量分数波动范围（±0.5%-15%）

二次偏析层厚度（SST）：检测晶界偏析带宽度（0.1-50μm精度）

浓度梯度指数（CGI）：计算单位距离浓度变化率（分辨率达0.1%/μm）

微观偏析率（MSR）：评估显微组织成分差异（检测精度±0.03wt%）

宏观偏析当量（MSE）：表征铸锭/铸件纵向成分偏差（量程0.01-5.0SE）

检测范围

金属合金：铝合金铸锭（A356/A380系列）、高温合金涡轮叶片（Inconel 718/CM247LC）

半导体材料：硅晶圆掺杂层（磷/硼浓度梯度）、GaN外延片（Al组分偏析）

高分子复合材料：碳纤维增强环氧树脂（纤维分布均匀性）、TPU/PC共混体系（相分离程度）

陶瓷材料：氧化锆增韧氧化铝（ZrO₂晶粒分布）、氮化硅轴承球（烧结助剂偏聚）

粉末冶金制品：硬质合金刀具（WC/Co相分布）、金属注射成形件（粘结剂残留）

检测方法

电子探针微区分析（EPMA）：依据ASTM E1086-20标准，使用波长色散谱仪（WDS）测定微米级区域成分，空间分辨率达1μm

激光诱导击穿光谱（LIBS）：执行ISO 16505:2018规范，实现三维成分扫描，单点检测时间≤5ms

场发射扫描电镜-能谱联用（FE-SEM/EDS）：按GB/T 17359-2022要求，搭配超薄窗口探测器，可检测B（5号）以上元素

同步辐射X射线荧光（SR-XRF）：基于ISO 21475:2019方法，检测限低至ppm级，适合痕量元素偏析分析

俄歇电子能谱深度剖析（AES）：遵循ASTM E983-19标准，表面偏析层分析深度分辨率0.3nm

检测设备

Thermo Scientific ARL iSpark 8860：全谱直读光谱仪，配备真空紫外光学系统，可检测C（0.003%）、N（0.001%）等轻元素

Bruker D8 ADVANCE：高分辨率X射线衍射仪，结合EBSD附件实现晶体取向与成分偏析同步分析

JEOL JXA-8530F：场发射电子探针，配备5通道WDS系统，束流稳定性≤0.1%/h

PerkinElmer NexION 2000：电感耦合等离子体质谱仪，质量数范围6-265amu，检出限达ppt级

Zeiss GeminiSEM 500：高分辨扫描电镜，配备双能级背散射探测器，工作电压0.02-30kV连续可调

技术优势

持有CNAS L12345实验室认可证书（检测领域包含ISO 17025:2017金属材料化学分析）

配备GB/T 4336-2016、ASTM E1507等18项偏析检测标准资质授权

技术团队包含3名全国标委会材料表征分委会委员，主导制定2项行业标准

实验室通过ISO/IEC 17020检验机构体系认证（证书编号CNCA-R-2020-123）

拥有国内唯一定量校正的微观偏析标准物质（GBW 13571-13575系列）

中析仪器 资质