集成电路元素试验

参考周期：常规试验7-15工作日，加急试验5个工作日。

注意：因业务调整,暂不接受个人委托测试,望谅解(高校、研究所等性质的个人除外)。

检测项目

1.主量元素分析：硅衬底纯度测定，二氧化硅薄膜中硅氧比例分析，氮化硅薄膜中氮硅比例测定。

2.痕量杂质元素分析：钠、钾、钙等碱金属及碱土金属含量检测，铁、铜、镍、铬等重金属杂质含量分析。

3.掺杂元素浓度分析：硼、磷、砷等掺杂剂在硅中的浓度及分布测定，锗硅外延层中锗含量分析。

4.金属互连层成分分析：铝、铜、钨主互连金属纯度检测，钛、氮化钛、钽、氮化钽等阻挡层材料成分分析。

5.焊点与凸点成分分析：锡铅、无铅焊料合金比例测定，铜柱凸点中铜含量及杂质分析，金丝键合线纯度检测。

6.介质薄膜元素分析：低介电常数材料中碳、氢、氧、氟等元素含量测定，高介电常数栅介质中铪、锆、铝等金属元素分析。

7.污染与残留物分析：工艺制程后表面金属污染检测，光刻胶、蚀刻液等化学试剂残留元素分析。

8.深度剖面成分分析：多层薄膜结构各层元素成分与厚度测定，掺杂元素浓度随深度分布分析。

9.失效点定位分析：短路、漏电、腐蚀等失效部位特异性的元素富集或缺失鉴定。

10.封装材料元素分析：塑封料中硅、环氧树脂、填充物成分测定，陶瓷封装中铝、氮、氧等元素分析。

11.贵金属层分析：金、铂、钯等电极或保护层厚度及纯度检测。

12.迁移离子检测：评估在电场或温度应力下可移动离子如钠离子的含量与迁移特性。

13.界面元素互扩散分析：金属与半导体、金属与介质层界面处元素相互扩散程度评估。

14.晶圆背面污染分析：晶圆背面金属及颗粒污染物检测。

15.特种气体与源物质分析：硅烷、磷烷、硼烷等气体纯度中关键杂质元素含量测定。

检测范围

硅抛光片、外延片、二氧化硅介质层、氮化硅钝化层、多晶硅栅极、金属铝布线、铜互连线、钨栓塞、钛硅化合物、钴硅化合物、镍硅化合物、锡银铜焊球、金凸点、铅锡焊料、陶瓷封装外壳、环氧塑封料、晶圆切割道、芯片键合 pad、失效缺陷点位

检测设备

1.二次离子质谱仪：用于进行高灵敏度的深度剖面分析，可检测从主量到痕量级的元素及其分布，特别适用于掺杂元素分布与界面分析。

2.电感耦合等离子体质谱仪：用于测定溶液样品中极低浓度的杂质金属元素，具备极高的检测灵敏度与宽动态范围。

3.全反射X射线荧光光谱仪：专用于硅片等表面平坦样品的表面痕量金属污染分析，检测限极低，无需复杂制样。

4.扫描电子显微镜搭配能谱仪：提供微区形貌观察与元素定性、半定量分析，是失效定位与成分初筛的关键工具。

5.俄歇电子能谱仪：用于表面及界面（几个原子层深度）的元素成分与化学态分析，特别适合薄膜、沾污及界面反应研究。

6.辉光放电质谱仪：用于块体材料中从主量到超痕量元素的全面分析，可提供高纯材料如靶材、晶圆的杂质筛查。

7.X射线光电子能谱仪：用于表面元素成分、化学态及电子结构的精确分析，适用于介质薄膜、界面反应及污染鉴定。

8.电感耦合等离子体发射光谱仪：用于溶液样品中多种元素的同时定量分析，适用于金属成分、掺杂剂浓度及工艺液分析。

9.原子吸收光谱仪：用于特定金属元素的定量分析，方法成熟，适用于如键合线纯度等项目的常规检测。

10.激光剥蚀电感耦合等离子体质谱仪：将固体样品直接气化并送入质谱分析，可实现微区、原位及深度方向上的元素分布分析。

北京中科光析科学技术研究所【简称：中析研究所】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。

中析仪器资质